Name: CSD18563Q5AT
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CSD18563Q5AT

Artikelnummer:

CSD18563Q5AT

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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~~CSD18563Q5AT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD18563Q5AT.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-VSONP (5x6)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD18563
CSD18563Q5AT Einzelheiten PDF [English]	CSD18563Q5AT PDF - EN.pdf

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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